类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：67A（在25°C下）
　　导通电阻(Rds(on))：最大 0.0155Ω
　　功耗(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-264

IXTH67N10MB 具有多个显著的性能特点，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的热阻较低，使其在高功率操作下仍能保持良好的散热性能，延长了器件的使用寿命。
　　其次，该 MOSFET 设计有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，能够在高频率下保持低开关损耗。此外，该器件具有良好的雪崩能量承受能力，增强了其在严苛环境下的可靠性和稳定性。
　　IXTH67N10MB 采用 TO-264 封装，具有良好的机械稳定性和焊接可靠性，适合用于自动焊接工艺和表面贴装技术。其封装设计也有助于提高 PCB 上的空间利用率，适用于紧凑型电源设计。
　　最后，该 MOSFET 支持并联操作，可应用于高功率负载场合，如电机驱动、电池充电系统和逆变器等。

IXTH67N10MB 主要应用于需要高效率、高功率密度的电子系统中，如工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS 系统、电机控制、电池管理系统（BMS）、逆变器和太阳能逆变器等。其快速开关能力和低导通电阻也使其适用于同步整流器、负载开关和高功率 LED 驱动电路。
　　此外，该 MOSFET 在汽车电子领域也有广泛应用，如车载充电器、电池管理系统和电动车辆的功率控制模块等。由于其宽工作温度范围，该器件也可用于恶劣环境下的工业和军用设备。

IXTH67N10MF, IRF1405, FDP67N10, STP67N10F7