时间：2025/5/28 21:20:16
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MMFT3055 是一款基于硅技术的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)，适用于高频开关应用。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，使其在电源管理、电机驱动和开关电源转换等场景中表现出色。MMFT3055 采用了先进的制造工艺，以确保其性能稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：26nC
开关时间：开启时间 7ns / 关断时间 18ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MMFT3055 具有低导通电阻，可显著降低功率损耗并提高效率。
该器件支持快速开关操作，非常适合高频应用环境。
采用 DPAK 封装形式，能够提供良好的散热性能。
其高雪崩击穿能量和耐用性使 MMFT3055 在极端条件下仍然保持可靠运行。
由于具备超低 RDS(on) 特性，这款 MOSFET 可广泛应用于 DC-DC 转换器和负载开关领域。
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