时间：2025/9/14 22:34:25
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PMV27UPEAR是一款由NXP Semiconductors生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种电子设备中的功率控制电路。
类型：P沟道
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4.8A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ @ Vgs = -4.5V；45mΩ @ Vgs = -2.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN10
安装类型：表面贴装
功率耗散(Pd)：1.4W
PMV27UPEAR具有低导通电阻，能够在高负载条件下提供更高效的电能传输，减少能量损耗并降低发热。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持-2.5V至-4.5V之间的不同应用需求，使其适用于低电压控制电路。此外，PMV27UPEAR采用小型DFN10封装，占用PCB空间较小，适合紧凑型设计和高密度电路布局。
这款MOSFET具备良好的热稳定性和过温保护能力，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其高电流承载能力和快速开关特性使其适用于高频开关电源、负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统等应用。此外，PMV27UPEAR的制造工艺确保了器件的高可靠性和长寿命，适合工业级和汽车电子等严苛环境下的使用。
PMV27UPEAR广泛应用于各种电子系统中，如便携式电子设备的电源管理、电池供电系统的负载开关控制、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、LED照明调光控制、以及工业自动化和通信设备中的功率开关应用。此外，它也可用于汽车电子系统中的辅助电源管理模块。
Si2305DS, AO4407A, FDN340P, FDV303P
