类型：SRAM
　　容量：32K x 8 位（256KB）
　　电压范围：5V
　　访问时间：10ns
　　封装形式：28引脚 PLCC 或 DIP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电流：低功耗模式下典型值为10mA
　　读/写操作电流：典型值为120mA
　　封装尺寸：PLCC：19.05mm x 19.05mm
　　引脚数量：28
　　接口类型：并行接口
　　时序模式：异步模式

HY62256LP-10 的主要特性之一是其高速访问时间，仅需 10ns 即可完成一次读写操作，这使得它非常适合用于需要快速响应的系统中，例如实时控制系统和高速缓存应用。该芯片采用了 CMOS 工艺，具有较低的静态功耗，在待机或数据保持模式下电流消耗非常小，有助于降低整体系统功耗。
　　该 SRAM 芯片具备异步控制接口，支持 CE（片选）、OE（输出使能）和 WE（写使能）信号控制，方便与多种微处理器和控制器进行连接。其 28 引脚的封装形式使其在电路板上占用空间较小，适合高密度布局设计。
　　HY62256LP-10 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级标准，可以在较为严苛的环境中稳定运行。这使得它在工业自动化、仪器仪表、通信模块等对环境适应性要求较高的领域中具有广泛的应用前景。
　　此外，HY62256LP-10 支持 TTL 电平兼容输入，简化了与多种数字电路的接口设计。由于其无需刷新操作的特性，相较于动态 RAM（DRAM），HY62256LP-10 在使用过程中更加稳定可靠，特别适合用于关键数据的临时存储。

HY62256LP-10 主要用于需要高速数据访问和低功耗特性的嵌入式系统和工业控制设备中。例如，在工业自动化设备中，它可作为微控制器或 DSP 的外部高速缓存，用于临时存储运算数据或程序指令。在通信设备中，该芯片可作为缓冲存储器，用于处理高速数据流。
　　该芯片也常见于测试测量仪器中，用于存储测试过程中产生的临时数据或校准参数。此外，在消费类电子产品中，如打印机、扫描仪和嵌入式音频设备中，HY62256LP-10 可作为临时数据存储单元，提升系统响应速度。
　　由于其宽温特性和低功耗特性，HY62256LP-10 也适用于户外设备、车载电子系统和远程监控装置等对稳定性和可靠性要求较高的应用场景。

CY62257BLL-10ZC、IDT71256SA10P、AS6C2256-10LLN-B、M5M52256BP-10NS