时间：2025/8/5 22:56:03
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IXTA76N25T-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高功率开关和电源管理系统中。这款器件以其高效率、快速开关特性和耐用性著称，适用于各种电源转换器、电机控制器以及工业设备中的功率控制应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流 (Id)：76A
漏源电压 (Vds)：250V
栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值为 0.027Ω（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散：300W
IXTA76N25T-TRL 的核心特性之一是其卓越的导通性能，其低 Rds(on) 可显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使得导通电阻和开关损耗都得到了优化。
此外，该 MOSFET 具有出色的热稳定性和过载能力，能够在高温度环境下稳定工作，适用于各种严苛的工作条件。其 TO-220AB 封装提供了良好的散热能力，确保在高电流负载下仍能保持较低的工作温度。
该器件的开关速度较快，适合高频开关应用，同时其栅极驱动需求较低，能够在较宽的栅极电压范围内正常工作，增加了设计的灵活性。
IXTA76N25T-TRL 还具备较高的短路耐受能力，使其在突发负载条件下也能保持稳定运行。
IXTA76N25T-TRL 主要应用于以下领域：
1. 电源转换系统：如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块等，用于高效能功率转换。
2. 工业自动化设备：作为功率开关，控制电机、继电器和其他执行机构的运行。
3. 不间断电源（UPS）：用于实现电源切换和能量储存的控制。
4. 太阳能逆变器：用于将太阳能电池板的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
5. 电动车和充电设备：用于功率管理、电池充电控制等场景。
IXTA76N25T-TRL 的替代型号包括：IXTA76N25AH、IXFN76N25、STP76N25T、IRF2804、FQA76N25
