类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.6A
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 55mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V 至 2.5V
　　输入电容（Ciss）：约 180pF

S16011G MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，从而提高整体效率。该器件的漏源电压为 20V，适用于低压电源管理应用，例如便携式设备和小型电机驱动器。
　　该 MOSFET 支持高达 4.6A 的连续漏极电流，这使其适用于需要较高负载能力的开关电路。此外，S16011G 采用 SOT-23 封装，具有较小的尺寸，非常适合空间受限的设计。这种封装形式也提供了良好的热管理和电气性能。
　　另一个重要特性是其栅极驱动电压范围，S16011G 的最大栅源电压为 ±12V，推荐的栅极驱动电压为 4.5V，这使得它可以与常见的逻辑电平（如 3.3V 或 5V）控制器直接兼容，而无需额外的电平转换电路。
　　此外，S16011G 具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车级应用。其阈值电压范围为 1.0V 至 2.5V，确保了在不同工作条件下能够可靠地导通和关断。
　　输入电容（Ciss）约为 180pF，这在高频开关应用中尤为重要，因为它影响着开关速度和开关损耗。较低的输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动功率需求。

S16011G MOSFET 广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要高效能、小尺寸和低功耗的场合。其主要应用包括但不限于：DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、LED 驱动器、电源管理模块以及嵌入式系统的电源控制部分。
　　在 DC-DC 转换器中，S16011G 可作为主开关器件，负责将输入电压转换为所需的输出电压。由于其低导通电阻和快速开关特性，可以显著提高转换效率，减少热量产生。
　　在负载开关应用中，S16011G 可用于控制电源供应到负载的通断，例如在便携式设备中控制不同模块的电源供应。这种应用中，MOSFET 的低导通电阻有助于减少压降和功耗。
　　对于电机控制应用，S16011G 可用于 H 桥电路中，控制直流电机的正反转和速度调节。其较高的连续漏极电流能力使其适合驱动小型电机。
　　在电池管理系统中，S16011G 可用于充放电控制电路，确保电池的安全和高效运行。此外，在 LED 驱动器中，该 MOSFET 可作为开关元件，用于调节 LED 的亮度或实现 PWM 调光。
　　由于其小型化封装和高可靠性，S16011G 也非常适合用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的电源管理模块。

Si2302DS, 2N7002, FDV301N, BSS138