时间：2025/8/5 20:22:29
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IXTA4N150HV-TRL是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，具有高电压和高电流的特性，适用于多种功率电子应用。这款MOSFET采用TO-220封装，具有良好的热性能和电气性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：1500V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：4A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω（最大）
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
IXTA4N150HV-TRL具有优异的导通性能和快速开关特性，能够在高电压环境下稳定工作。其高电压耐受能力和低导通电阻使其在电源转换和电机控制应用中表现出色。此外，该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，适合用于高要求的工业和消费电子应用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计。其TO-220封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。
在安全和保护方面，IXTA4N150HV-TRL具有过热保护和短路保护功能，能够在极端工作条件下保持稳定。
IXTA4N150HV-TRL常用于开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统、照明镇流器和电焊设备等高功率应用。其高电压耐受能力和良好的导通性能使其在工业自动化和电力电子系统中具有广泛的应用前景。
IXTA4N150HV
