型号：IXTA36P15P
　　制造商：Littelfuse
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：36A
　　脉冲漏极电流（ IDM）：144A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：30mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=5V：40mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值4.0V，范围3.0~5.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值3400pF
　　输出电容（Coss）：典型值980pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值47ns
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

IXTA36P15P具备多项关键特性，使其在高功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）是该器件的核心优势之一，在VGS=10V时仅为30mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，特别适用于大电流持续导通的场景，如大功率DC-DC变换器和电池管理系统。其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流高达36A，脉冲电流可达144A，能够应对瞬态过载情况，增强了系统的鲁棒性。第三，器件采用了优化的硅工艺和TO-247封装，实现了良好的热传导性能，结到外壳的热阻（RθJC）低至0.625°C/W，有助于将内部热量迅速传递至外部散热系统，防止因局部过热导致的性能下降或失效。第四，IXTA36P15P具备较强的雪崩耐受能力，能够在非钳位感性开关（UIS）条件下承受一定的雪崩能量，提升了在电机驱动和逆变器等感性负载应用中的可靠性。第五，其输入电容和输出电容经过优化设计，配合快速的开关速度，使得该器件适用于高频开关环境，减少了开关过渡时间，从而降低开关损耗。此外，该MOSFET具备较强的抗噪声干扰能力，栅极阈值电压适中，可在标准驱动电压下稳定工作，兼容常见的驱动IC。最后，工作结温范围宽达-55°C至+175°C，使其能够在极端温度环境下可靠运行，适用于工业、能源和自动化等领域对环境适应性要求较高的场合。
　　值得一提的是，IXTA36P15P在设计时充分考虑了安全工作区（SOA）的扩展，确保在高电压与大电流同时存在的条件下仍能保持稳定工作，避免二次击穿现象的发生。这对于需要频繁启停或承受冲击负载的应用至关重要。同时，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。综合来看，IXTA36P15P凭借其高性能参数、可靠的封装设计和广泛的适用性，成为中高压、大电流功率开关应用中的优选器件之一。

IXTA36P15P广泛应用于多种高功率电子系统中。首先，在电源管理领域，它被用于高效DC-DC降压或升压转换器中，作为主开关管，利用其低导通电阻和高电流能力实现高效率的能量转换，常见于通信电源、服务器电源和工业电源模块。其次，在电机控制方面，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）驱动器或步进电机控制器中，作为桥式电路中的开关元件，提供快速响应和精确控制能力，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。第三，在可再生能源系统中，IXTA36P15P常用于太阳能微逆变器或小型光伏逆变器中，执行直流转交流的开关功能，其高耐压和良好热性能保障了系统在户外复杂环境下的长期稳定性。第四，该MOSFET也适用于不间断电源（UPS）和应急照明系统，在电池放电和逆变阶段承担主要功率切换任务，确保电力中断时负载的持续供电。此外，在电动汽车充电设备、电焊机、感应加热装置等高功率工业设备中，IXTA36P15P因其高可靠性和强电流处理能力而被广泛采用。其TO-247封装便于安装散热片，适合紧凑型高密度设计，同时支持并联使用以进一步提升系统输出能力。在设计应用中，建议配合合适的栅极驱动电路，使用负压关断或有源米勒钳位技术来防止误开通，并通过PCB布局优化减少寄生电感，提升整体系统EMI性能和开关效率。

IXTH36P15P
　　IXTK36P15P
　　IRFP3710
　　STP36NF15