时间：2025/12/26 3:41:58
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ES1G-13-F是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL超小型封装。该器件专为高效率、高速开关应用而设计，特别适用于空间受限的便携式电子设备和高频电源转换系统。肖特基二极管因其低正向压降和快速反向恢复特性，在降低功耗和提高系统效率方面具有显著优势。ES1G-13-F在制造过程中符合RoHS标准，并且不含卤素，满足现代电子产品对环保和可靠性的要求。其小尺寸封装使其非常适合自动贴片生产线，广泛应用于消费类电子、通信设备、电源管理模块以及DC-DC转换器中。
该型号中的“ES1G”代表其为肖特基二极管系列，“13”表示其为1A额定电流版本，“F”通常指代特定的电压等级或产品变体。通过优化PN结结构与金属接触工艺，ES1G-13-F实现了优异的热稳定性和长期可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。此外，该器件具备良好的浪涌电流承受能力，增强了在瞬态负载条件下的鲁棒性。
类型：肖特基二极管
封装/外壳：SOD-123FL
配置：单只
反向耐压（VRRM）：40V
平均整流电流（IO）：1A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
正向压降（VF）：@ IF=1A, 典型值0.48V
最大反向漏电流（IR）：@ VR=40V, TA=25°C, 典型值0.1μA
工作结温范围（TJ）：-65℃ ~ +125℃
存储温度范围（TSTG）：-65℃ ~ +150℃
热阻（RθJA）：约350K/W
安装类型：表面贴装（SMT）
ES1G-13-F的核心特性之一是其低正向导通压降，典型值仅为0.48V（在1A条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。相比于传统的PN结二极管，肖特基势垒结构避免了少数载流子的存储效应，从而实现了近乎瞬时的开关响应，极大地减少了反向恢复时间（trr通常小于10ns）。这一特性使其在高频开关电源、同步整流替代、反向极性保护等需要快速响应的应用中表现出色。同时，低VF有助于减少发热，提升系统热管理效率，尤其适合紧凑型高密度电路设计。
另一个关键优势是其SOD-123FL微型表面贴装封装，尺寸仅为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm，体积比标准SOD-123更小，节省PCB布局空间达30%以上，支持更高集成度的设计需求。该封装还具备优良的散热性能和机械强度，能够承受回流焊工艺的高温冲击，确保生产良率。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，保证在恶劣环境下的长期稳定性。
ES1G-13-F具有较低的反向漏电流，在40V反向电压下室温漏电仅约0.1μA，有效防止静态功耗增加。尽管肖特基二极管通常存在较高的漏电流问题，但该型号通过优化金属-半导体界面工艺，成功抑制了漏电流的增长趋势，提升了高温下的稳定性。此外，其高达30A的峰值浪涌电流能力可应对瞬间大电流冲击，如电源启动或负载突变情况，增强了系统的抗干扰能力和安全性。综合来看，ES1G-13-F在效率、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是现代高效电源设计的理想选择。
ES1G-13-F广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器，用于输出整流和续流二极管，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备。在这些应用中，其低正向压降直接转化为电池续航时间的延长。它也常用于AC-DC适配器的次级侧整流环节，特别是在低输出电压（如5V或3.3V）设计中，传统整流二极管的0.7V压降会造成较大能量损失，而ES1G-13-F的0.48V压降显著提升了转换效率。
此外，该器件适用于极性反接保护电路，连接在电源输入端以防止因误接导致后级电路损坏，由于其低压降特性，不会对正常工作造成明显影响。在太阳能充电控制器、USB供电模块、LED驱动电源中，ES1G-13-F作为防倒灌二极管使用，确保电流单向流动。在高频开关电源拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和SEPIC转换器中，它承担续流和钳位功能，利用其快速恢复特性减少开关节点振铃和电磁干扰（EMI）。工业控制板、网络通信设备和嵌入式系统的电源管理单元也大量采用此类小型化高效率二极管，以满足小型化与节能的双重需求。
SMS140T1G
MBR140VLSFT1G
B140AW-13-F
S1BAHE3_A/H/L
SS14-S
