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IS43R32800D-5BL 发布时间 时间:2025/9/1 8:43:30 查看 阅读:7

IS43R32800D-5BL 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于异步DRAM类别,广泛应用于需要快速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备以及网络设备中。其容量为256K x 32位,总容量为8Mbit,工作电压为3.3V,具有较高的可靠性和稳定性。

参数

容量:8Mbit
  组织结构:256K x 32
  电压:3.3V
  访问时间:5ns
  封装:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行异步接口
  刷新周期:64ms

特性

IS43R32800D-5BL 的主要特性之一是其高速访问能力,访问时间仅为5ns,能够满足对数据响应速度有较高要求的应用场景。该芯片采用低功耗设计,在保持高性能的同时有效降低功耗,适用于对能耗敏感的设备。
  此外,该DRAM芯片采用3.3V电源供电,兼容大多数现代嵌入式系统的电源设计,简化了电源管理电路的设计难度。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,提高布线灵活性,适用于紧凑型电子设备。
  IS43R32800D-5BL 支持标准的异步并行接口,易于与各种微控制器、FPGA或其他主控设备连接,降低了系统集成的复杂性。同时,其支持64ms刷新周期,确保数据在断电前能够被正确保存,并满足大多数实时系统对数据保持的需求。
  该芯片符合工业级温度范围要求(-40°C 至 +85°C),适用于严苛环境下的应用,如工业控制、汽车电子和通信设备等。

应用

IS43R32800D-5BL 被广泛应用于需要高性能、低功耗和小尺寸存储解决方案的嵌入式系统。典型应用包括工业自动化设备、通信模块、网络交换设备、视频采集与处理系统等。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片也常用于图像处理、数据缓存及实时控制系统中。
  在FPGA系统中,该DRAM芯片可作为外部缓存,用于存储临时数据或程序代码,提高系统处理效率。在网络设备中,IS43R32800D-5BL 可用于数据包缓存和转发控制,增强网络处理能力。
  此外,该芯片还可用于汽车电子系统,如车载导航、ADAS系统中的临时数据存储,以及智能家电中的用户界面缓存和操作数据存储。

替代型号

IS42S16800B-5BL, CY7C1041CV33-5B, MT48LC16M2A2B4-5A

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IS43R32800D-5BL产品

IS43R32800D-5BL参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织16 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体BGA-144
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 访问时间5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min1.65 V
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量189