时间：2025/8/9 6:06:30
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2SK1086-MR是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、功率放大和开关电路等领域。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和优异的热性能而著称，适用于需要高功率密度和可靠性的设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
2SK1086-MR具有低导通电阻（Rds(on)），能够显著减少导通损耗，提高系统效率。
其高电流承载能力和优异的热性能使其适合高功率应用，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。
此外，该器件采用了先进的工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合各种高功率应用场景。
由于其优异的电气性能和可靠性，2SK1086-MR在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛应用。
2SK1086-MR广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电源开关、功率放大器以及需要高功率密度和高效能的电子设备中。
2SK1087-MR, IRFZ44N, IRF540N
