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SN74LVT8996-EP 发布时间 时间:2025/6/21 7:04:47 查看 阅读:5

SN74LVT8996-EP 是一款高性能的 CMOS 静电放电 (ESD) 保护二极管阵列,专为高速信号线路提供瞬态电压抑制保护。该器件采用超小型封装设计,适用于便携式电子设备、消费类电子产品以及通信系统中的敏感接口保护。其低电容特性确保了对高速数据传输的影响最小化,同时提供了强大的 ESD 防护能力以满足 IEC 61000-4-2 标准的要求。
  该芯片具有多通道设计,能够保护多达8条独立的信号线免受静电放电和浪涌电流损害。此外,SN74LVT8996-EP 还具备出色的抗扰度和可靠性,使其成为各种恶劣环境下的理想选择。

参数

工作电压:3.3V
  最大箝位电压:15V
  动态电阻:≤1Ω
  电容(每通道):≤1pF
  响应时间:≤1ns
  最大工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:DFN10

特性

1. 提供高达±15kV(空气放电)和±8kV(接触放电)的ESD防护性能。
  2. 超低电容设计,适合高速数据线保护,例如 USB、HDMI 和 DisplayPort 等。
  3. 高度集成的多通道结构,简化了 PCB 布局并节省空间。
  4. 支持高频应用,不影响信号完整性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 工作电压兼容性广,可应用于多种低压系统。
  7. 可靠性和耐用性强,能承受多次ESD冲击而不会损坏。

应用

1. 消费类电子产品中的USB端口保护。
  2. 移动设备及平板电脑中的HDMI接口防护。
  3. 工业控制系统的通信端口保护。
  4. 汽车电子系统中CAN总线和其他高速信号线的防护。
  5. 医疗设备中敏感输入/输出接口的ESD防护。
  6. 无线通信模块的数据线保护,如蓝牙、Wi-Fi等。

替代型号

SN74LVPE12128,
  TPD8S012,
  SP3012EVT

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