时间：2025/8/5 18:05:51
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IXTA2N100P-TRL是一款由Littelfuse（前身为IXYS）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高电流应用设计。该器件属于P沟道MOSFET，通常用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器和负载管理等场合。IXTA2N100P-TRL采用TO-220封装，具有良好的热管理和高可靠性。该器件在工业自动化、电源管理系统和高电压开关应用中表现出色。
类型：P沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：2A
最大功耗(Pd)：40W
导通电阻(Rds(on))：约0.8Ω @ Vgs = -10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
IXTA2N100P-TRL具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特性，使其适用于多种功率电子应用。其P沟道结构使得在高端开关应用中无需额外的驱动电路即可实现高效的电压控制。该器件的TO-220封装有助于良好的散热性能，确保在高功率负载下仍能稳定运行。此外，该MOSFET具有较低的开关损耗和导通损耗，有助于提高系统整体效率。其±20V的栅源电压容限增强了抗过压能力，提高了系统安全性。该器件的高电流能力和优良的热稳定性使其在高温环境下仍能保持稳定的性能，适用于要求严苛的工业和电源管理系统。此外，IXTA2N100P-TRL的快速开关特性使其适用于高频应用，如DC-DC转换器和马达驱动器。
IXTA2N100P-TRL适用于多种功率电子应用，包括开关电源、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、负载开关和高电压调节器等。其P沟道设计使其在高端开关应用中特别有效，无需额外的驱动电路即可实现高效的电压控制。此外，该器件在工业自动化、电力电子系统和汽车电子系统中也有广泛应用，特别是在需要高电压和高稳定性的场合。由于其良好的热管理性能和较高的可靠性，该MOSFET在需要长时间运行的系统中也表现出色。
IXTP2N100P、IXTA4N100P、IXTA2N100A、STP2N10K、IRF9Z34N
