10ME3300WX是一款由Vishay Siliconix公司生产的MOSFET晶体管,属于高性能功率开关器件系列。该器件主要用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及高效率开关电源等应用中。10ME3300WX采用先进的沟道MOSFET制造工艺,具备低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性等特点,能够有效降低系统功耗并提升整体能效。该器件封装在PowerPAK SO-8封装中,具有较小的占板面积,适合对空间要求较高的便携式电子设备和高密度电路设计。此外,其栅极驱动电压兼容主流控制器,可直接由3.3V或5V逻辑信号驱动,简化了电路设计复杂度。
10ME3300WX的漏源击穿电压为30V,适用于低电压大电流的应用场景,如笔记本电脑电源模块、电池管理系统(BMS)、负载开关和热插拔电源控制等。由于其优异的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力,该器件在面对负载突变或短路故障时表现出较强的鲁棒性,有助于提高系统的可靠性与安全性。同时,该器件符合RoHS环保标准,并通过了相关的工业级可靠性测试,确保在各种工作环境下长期稳定运行。
型号:10ME3300WX
制造商:Vishay Siliconix
器件类型:MOSFET
沟道类型:N沟道
最大漏源电压(VDS):30 V
最大栅源电压(VGS):±20 V
连续漏极电流(ID)@25°C:18 A
脉冲漏极电流(IDM):72 A
导通电阻(RDS(on))@4.5V VGS:4.7 mΩ
导通电阻(RDS(on))@2.5V VGS:6.2 mΩ
导通电阻(RDS(on))@1.8V VGS:9.5 mΩ
栅极电荷(Qg)@10V:25 nC
输入电容(Ciss):1020 pF
开启延迟时间(td(on)):10 ns
关断延迟时间(td(off)):25 ns
反向恢复时间(trr):18 ns
工作结温范围(Tj):-55 至 +150 °C
封装类型:PowerPAK SO-8
10ME3300WX具备极低的导通电阻,这使其在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗,显著提升了电源系统的转换效率。例如,在同步整流型DC-DC变换器中,低RDS(on)意味着更小的I2R损耗,从而减少发热,允许更高的功率密度设计。此外,该器件在低栅极驱动电压下依然能够实现良好的导通性能,支持1.8V、2.5V和4.5V等多种驱动条件,适应现代低电压数字控制器的输出电平需求,增强了系统设计的灵活性。
该MOSFET采用了先进的硅工艺和封装技术,实现了优异的热传导性能。PowerPAK SO-8封装去除了传统引线框架中的焊线结构,采用铜夹连接(Copper Clip)技术,大幅降低了封装本身的电阻和电感,进一步提升了电流承载能力和高频响应特性。这种结构还改善了热阻(RθJA),使得器件在高负载下能够更快地将热量传递到PCB,避免局部过热导致的性能下降或失效。
在动态性能方面,10ME3300WX拥有较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少,有利于提高开关频率,减小外围滤波元件的尺寸,进而缩小整体电源模块的体积。同时,较短的开启和关断延迟时间保证了快速的响应能力,适用于高频PWM控制场合。其反向恢复时间也较短,配合体二极管使用时能有效抑制电压尖峰和振荡,提升系统EMI表现。
该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在非钳位电感开关(UIS)条件下承受一定的能量冲击,提高了在异常工况下的生存能力。综合来看,10ME3300WX是一款集高效、高速、高可靠性于一体的先进N沟道MOSFET,广泛适用于各类高性能电源系统设计。
10ME3300WX主要应用于需要高效能、大电流开关控制的电力电子系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压转换器(Buck Converter),其中作为上下桥臂开关使用,尤其适合作为低侧同步整流管,因其低导通电阻可显著降低传导损耗。在笔记本电脑、平板电脑及嵌入式系统的电源管理单元(PMU)中,该器件常用于核心电压调节模块(VRM),为CPU、GPU等高性能处理器提供稳定的供电支持。
此外,该器件也广泛用于电池供电设备中的电源路径管理和负载开关控制,例如在智能手机、移动电源和便携式医疗设备中,用作电池充放电回路的通断控制,实现低静态功耗和快速响应。在电机驱动电路中,10ME3300WX可用于H桥拓扑结构中的功率开关,驱动直流电机或步进电机,凭借其快速开关特性和高电流能力,确保电机启停平稳、响应迅速。
工业控制领域中,该器件可用于PLC模块、传感器供电接口和热插拔电源控制器,保障系统在带电插拔时的安全性和稳定性。同时,在LED驱动电源、USB PD快充适配器、无线充电发射端等消费类电源产品中,也能发挥其高效率和小尺寸的优势。得益于其高可靠性和宽温度工作范围,10ME3300WX同样适用于汽车电子辅助系统(非引擎舱)中的低压电源管理应用。
SiR142DP-T1-GE3
IRLHS3442NTRPBF
FDMC8878