IR3E11M 时间：2025/8/28 7:47:59 阅读：4

IR3E11M 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于需要高功率处理能力的工业和电力电子设备中。该模块集成了多个 IGBT 芯片，采用了先进的沟槽栅技术和场截止（Field Stop）技术，具有低导通压降和开关损耗的特点，适用于逆变器、电机驱动、UPS（不间断电源）等场景。

参数

类型：IGBT 模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：11A
　　最大工作温度：150°C
　　导通压降（VCE_sat @ IC=11A）：约 1.7V
　　封装类型：单管 TO-247 封装
　　技术：沟槽栅 + 场截止技术

特性

IR3E11M 具有优异的电气和热性能，主要特性包括：
　　1. 低导通压降和开关损耗，提高了整体系统的能效。
　　2. 高可靠性和耐用性，适用于高要求的工业环境。
　　3. 沟槽栅和场截止技术的结合，增强了器件的动态性能，减少了开关损耗。
　　4. 热阻低，能够有效散发工作过程中产生的热量，延长模块的使用寿命。
　　5. 内部集成保护二极管，提升了模块的反向恢复特性。
　　6. 支持宽范围的工作电压和电流，适应多种应用场景。
　　这些特性使 IR3E11M 在高功率密度和高效能设计中表现出色。

应用

IR3E11M 主要应用于工业电力电子设备中，包括：
　　1. 工业电机驱动：用于变频器和伺服驱动器，提供高效的电机控制。
　　2. 逆变器系统：用于太阳能逆变器、风能变流器等可再生能源系统中的电能转换。
　　3. UPS（不间断电源）：为关键设备提供稳定的电力供应，确保电力中断时的连续运行。
　　4. 电动汽车充电设备：支持高功率充电需求，提升充电效率。
　　5. 工业自动化控制：用于高精度和高可靠性的控制设备中。
　　6. 焊接设备和感应加热：提供稳定的高功率输出，满足特殊工业需求。