时间：2025/8/5 19:49:36
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IXTA110N12T2 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的电源应用。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压能力和高效率的特性，广泛应用于工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS）和电动汽车充电系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：110A（在 Tc=25℃）
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 8.2mΩ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247AC
安装类型：通孔（Through Hole）
功率耗散（Ptot）：300W（最大值，Tc=25℃）
IXTA110N12T2 是一款高性能功率 MOSFET，其核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力。该器件的 Rds(on) 最大仅为 8.2mΩ，能够在高电流工作条件下显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 支持高达 1200V 的漏源电压（Vds），适用于高电压电源转换和电机控制应用。
这款 MOSFET 采用了先进的平面技术，确保在高 dv/dt 环境下具有良好的稳定性，并具备较高的雪崩能量承受能力，提升了器件在恶劣工况下的可靠性。其 TO-247AC 封装设计提供了良好的热管理和机械强度，便于散热器安装和热传导。
IXTA110N12T2 的栅极驱动电压范围为 ±20V，适用于标准的 10V 至 15V 栅极驱动电路，兼容常见的驱动器 IC。其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器设计。此外，该器件的工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适合在极端环境条件下使用，如工业自动化、新能源汽车充电系统和高功率工业设备中。
IXTA110N12T2 主要应用于高功率和高电压场景，包括工业电源、电机驱动器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电系统、储能系统以及高频开关电源（SMPS）等。其低导通电阻和高耐压能力使其在高效率电源转换系统中表现出色，尤其适用于需要高可靠性和高性能的工业控制和新能源设备。
IXTA110N12T2 的替代型号包括 IXFN110N120、IXYS IXFH110N120、Infineon FFSP110R12Axx_B11 和 STMicroelectronics STY110N120K5AG。
