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ZHR-5-M(P) 发布时间 时间:2025/12/27 16:49:25 查看 阅读:13

ZHR-5-M(P)是一款由深圳智汇芯半导体有限公司推出的高精度、低功耗霍尔效应传感器芯片,广泛应用于电流检测、位置检测及磁场测量等场景。该器件基于先进的CMOS工艺制造,内置高灵敏度霍尔元件与信号调理电路,能够在宽温度范围内稳定工作。ZHR-5-M(P)采用SOT-23贴片封装,体积小巧,便于集成于空间受限的电子设备中。其主要特点包括高线性度输出、优异的温度稳定性以及强抗外界干扰能力,适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多种应用领域。该芯片支持单电源供电,输出形式为模拟电压信号,输出电压随外加磁场强度的变化呈线性关系,便于后续ADC采集与处理。此外,ZHR-5-M(P)内部集成了动态失调消除技术(chopper stabilization),有效抑制了热漂移和机械应力带来的误差,显著提升了长期工作的可靠性与测量精度。

参数

类型:霍尔效应传感器
  感应方向:垂直于封装表面
  供电电压:2.7V ~ 5.5V
  静态输出电压:VDD/2(典型值)
  灵敏度:1.6 mV/G ±10%
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  响应频率:0 ~ 20 kHz
  输出类型:模拟电压
  封装形式:SOT-23-3L
  功耗:典型值 5mW
  磁滞特性:内置磁滞,防抖动
  非线性度:< 1% FS
  温漂系数:±0.1%/°C

特性

ZHR-5-M(P)采用斩波稳定(Chopper Stabilization)技术,从根本上解决了传统霍尔传感器中存在的偏移电压及其温漂问题。该技术通过高频调制与解调的方式,将原始霍尔信号搬移到高频载波上进行放大和处理,再还原至基带,从而有效分离出真实的磁场信号并抑制直流偏移和低频噪声。这一机制使得器件在长时间运行或环境温度剧烈变化时仍能保持极高的测量重复性和稳定性。
  该芯片具有出色的线性响应特性,在额定磁场范围内(通常为±1000G),输出电压与磁场强度之间呈现高度一致的线性关系,非线性误差低于1%,满足大多数精密检测场合的需求。同时,其灵敏度经过出厂校准,确保批次间一致性良好,减少了终端客户在系统级标定时的工作量。
  ZHR-5-M(P)具备良好的电磁兼容性(EMC),能够在复杂电磁环境中可靠工作,不易受邻近电源线或高频信号的干扰。其输入电源端设有过压保护和反接保护电路(需外部辅助设计配合),增强了系统的鲁棒性。此外,芯片内部集成温度补偿模块,自动修正因温度变化引起的灵敏度波动,进一步提升全温区下的测量准确性。
  由于采用SOT-23小型化封装,ZHR-5-M(P)非常适合用于对空间要求严格的便携式设备或高密度PCB布局中。其引脚兼容行业主流霍尔传感器,便于替代升级。整体设计兼顾性能、功耗与成本,是中低端市场中极具竞争力的磁传感解决方案之一。

应用

ZHR-5-M(P)适用于多种需要非接触式磁场检测的应用场景。常见用途包括电机中的转子位置检测,如无刷直流电机(BLDC)换相控制,利用其对磁极变化的快速响应实现精确驱动时序;也可用于液位检测系统中,通过浮子内置磁铁带动磁场变化来判断液面高度,广泛应用于家电、汽车油箱监测等领域。
  在工业自动化方面,该芯片可用于接近开关、限位检测和编码器中,实现对金属部件运动状态的感知。由于其模拟输出特性,易于接入各类MCU的ADC接口,适合构建低成本数据采集系统。
  此外,在电流传感应用中,ZHR-5-M(P)可配合磁芯结构使用,通过检测导线周围产生的磁场强度间接测量电流大小,适用于中小功率电源管理、过流保护电路等场景。在消费电子产品中,如智能手机翻盖检测、智能手环佩戴识别等功能中也有潜在应用价值。
  得益于其宽温区特性和高可靠性,该器件同样适用于部分车载电子系统,例如车窗升降器防夹检测、座椅位置记忆模块等,满足AEC-Q100部分等级要求(具体以厂商认证为准)。

替代型号

SS49E
  A1302
  MLX90248

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