类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：SOT23（SMD）
　　电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
　　频率响应：100MHz（典型值）

BC847CQBZ 晶体管具有多项优异的电气特性，使其在各种电子电路中表现稳定可靠。首先，该晶体管的高电流增益（hFE）范围为110至800，根据具体型号的划分，分为不同档位，方便设计者根据需求选择合适的器件。这种高增益特性使其适用于信号放大和低噪声前置放大电路。
　　其次，BC847CQBZ 具有较高的频率响应能力，典型值为100MHz，适合用于中频放大器或高速开关电路。此外，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为30V，这使得该晶体管能够适应比一般小信号晶体管更高的电压环境，扩展了其在电源控制和模拟电路中的应用范围。
　　再者，该晶体管的最大集电极电流为100mA，功耗为300mW，这使其在低功耗便携式设备中也能稳定运行。SOT23封装形式不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，而且具有良好的热稳定性和机械强度。
　　最后，BC847系列晶体管在制造过程中采用了严格的工艺控制，确保了器件之间的一致性和可靠性，适用于工业级和消费类电子产品。

BC847CQBZ 晶体管因其优异的电气性能和紧凑的封装形式，广泛应用于多个电子领域。首先，在通用放大电路中，BC847CQBZ 常用于音频放大器、传感器信号调理电路以及运算放大器前端设计，得益于其高增益和低噪声特性。
　　其次，在数字电路和开关应用中，BC847CQBZ 通常用于驱动LED、继电器、小型电机和MOSFET栅极控制。其100mA的集电极电流能力和30V的耐压能力使其适合用于低功耗控制电路。
　　此外，BC847CQBZ 也广泛用于通信设备中的信号处理电路、射频（RF）模块中的低噪声放大器以及各类消费电子产品（如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备）中的接口电路设计。由于其SOT23封装适合自动化生产和回流焊工艺，因此在高密度PCB设计中尤为常见。
　　在工业控制和自动化系统中，BC847CQBZ 还可用于PLC模块中的输入/输出接口电路、传感器信号转换以及继电器控制等场景。

BC847C, BC817C, 2N3904, PN2222A, MMBC847C