时间：2025/5/10 12:06:42
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FFPF12UP20DN 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制程技术制造，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率功率转换场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
其封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装工艺，同时提供良好的散热性能，适用于各种工业和消费类电子应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：37A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：49nC
输入电容：1380pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，同时支持高效的表面贴装工艺。
6. 具备出色的热稳定性和电气性能，能够在极端温度条件下可靠运行。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. DC-DC 转换器的核心开关元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. LED 照明驱动电路中的高效功率管理。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
IRFZ44N, FDP5500, STP36NF06L
