时间：2025/8/6 1:48:19
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IXTA100N04T2-TRL是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适合用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制以及电池充电系统等。IXTA100N04T2-TRL封装在TO-220封装中，具有良好的散热性能和可靠性。该MOSFET的最大漏极电流（ID）为100A，漏源极电压（VDS）为40V，适用于需要高效能和紧凑设计的功率电子设备。
型号: IXTA100N04T2-TRL
类型: N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）: 100A
漏源极击穿电压（VDS）: 40V
栅源极电压（VGS）: ±20V
导通电阻（RDS(on)）: 4.2mΩ（最大）
栅极电荷（Qg）: 150nC（典型）
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
封装类型: TO-220
IXTA100N04T2-TRL功率MOSFET采用了先进的沟槽式制造工艺，具有以下显著特性：
首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率，这对于高功率密度应用尤为重要。
其次，该器件具有高电流承载能力，额定漏极电流高达100A，能够满足大功率负载的需求，同时在高温环境下仍能保持稳定运行。
此外，IXTA100N04T2-TRL具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了优异的散热性能，有助于延长器件寿命并提升系统可靠性。
该MOSFET的栅极驱动特性也经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg），使得开关损耗降低，同时兼容标准的10V栅极驱动电压，便于集成到各种功率电路中。
最后，该器件的封装设计符合工业标准，易于安装和替换，适用于自动化生产和大批量应用。
IXTA100N04T2-TRL因其优异的性能广泛应用于多个电力电子领域。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用作主开关器件，实现高效能的直流-交流或直流-直流转换。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和高电流能力可显著提升转换效率，适用于通信电源、服务器电源及电动汽车充电模块等。
此外，IXTA100N04T2-TRL还可用于电机驱动和控制电路，例如无刷直流电机（BLDC）控制器、电动工具和工业自动化设备中的功率开关。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于实现高效率的充放电控制。
由于其良好的热稳定性和耐用性，该器件也适用于工业电源、不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器以及各种需要高可靠性和高效率的功率电子系统。
IXTA100N04T2, IXTA100P04T2-TRL, IXTA100N10T2-TRL
