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MDD312-12N1B 发布时间 时间:2025/8/5 16:30:28 查看 阅读:35

MDD312-12N1B 是一款由Microsemi(现为Littelfuse子公司)制造的MOSFET模块,专为高功率应用设计。该模块采用先进的功率MOSFET技术,提供高效、可靠的开关性能,适用于工业电源、电机控制、不间断电源(UPS)以及电焊设备等高要求的应用场景。MDD312-12N1B 采用了双功率MOSFET封装结构,具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。

参数

类型:双功率MOSFET模块
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大漏极电流(Id):120A(在特定温度条件下)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.12Ω
  封装形式:双列直插式封装(DIP)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  最大功耗:约300W(根据散热条件)
  栅极电压范围:±20V
  短路耐受能力:具备短路保护能力
  绝缘等级:符合UL认证标准

特性

MDD312-12N1B 具备多项卓越特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(1200V)和较大的漏极电流(120A)使其适用于高压、大电流的功率转换系统。其次,该模块的导通电阻较低,典型值为0.12Ω,有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
  此外,MDD312-12N1B采用双功率MOSFET结构,能够在高频率下稳定工作,适合用于高频开关电路。其封装设计优化了散热性能,确保模块在高负载下仍能保持较低的温度上升,从而提高系统的可靠性和寿命。
  该模块的工作温度范围宽广(-55°C至+150°C),适应各种恶劣的环境条件,具备良好的热稳定性和机械强度。此外,模块还具备较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的短路电流而不损坏,提高了系统的安全性和稳定性。
  由于其绝缘等级符合UL认证标准,MDD312-12N1B在工业和电力系统中具有广泛的应用前景。模块的栅极电压范围为±20V,确保在不同的驱动条件下都能正常工作,降低了驱动电路的设计复杂度。

应用

MDD312-12N1B 主要应用于高功率电力电子系统,包括但不限于工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。在这些应用中,MDD312-12N1B 可以作为主开关元件,实现高效的能量转换和稳定的电路控制。
  在电机控制领域,该模块可用于交流变频器和伺服驱动器,提供高效的电机调速和精确的转矩控制。在UPS系统中,MDD312-12N1B可作为DC-AC逆变器的主要开关元件,实现快速的电源切换和稳定的输出电压。在电焊设备中,该模块能够承受高电流和频繁的开关操作,保证焊接过程的稳定性和质量。
  此外,MDD312-12N1B 也适用于高频开关电源设计,如DC-DC转换器和AC-DC整流器,能够有效降低开关损耗并提高整体效率。在新能源应用中,例如太阳能逆变器和风力发电系统,该模块也具备良好的适应性和可靠性。

替代型号

MDD312-12N1B的替代型号包括MDD312-12N1C、MDD315-12N1B、IXFN120N120、IRGP50B60PD1等,这些型号在电气特性、封装形式和应用场景上与MDD312-12N1B相似,可根据具体设计需求进行替换和选用。

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