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BUK6D30-40EX 发布时间 时间:2025/9/13 22:47:28 查看 阅读:4

BUK6D30-40EX 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的 TrenchMOS 技术制造。该器件专为高效率、高功率密度和低导通损耗而设计,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。BUK6D30-40EX 具有较低的导通电阻 RDS(on) 和优良的热性能,适合在高电流、高频开关条件下运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):60A(最大)
  漏源电压(VDS):40V
  栅源电压(VGS):±20V
  RDS(on):最大 5.8mΩ(在 VGS=10V 时)
  封装形式:TO-220AB
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

BUK6D30-40EX 具有多个关键特性,使其在多种功率应用中表现出色。首先,其极低的导通电阻 RDS(on) 仅为 5.8mΩ,能够在高电流条件下显著降低导通损耗,从而提高整体系统效率。其次,该器件采用先进的 TrenchMOS 技术,实现了更高的功率密度和更小的芯片尺寸,有助于减小外围电路的体积。此外,其高耐压能力为 40V,可满足多种低压功率转换器的需求,包括同步整流器、DC-DC 转换器和电池管理系统等。
  该 MOSFET 还具有良好的热稳定性,能够在高负载和高温环境下稳定运行,其封装形式为 TO-220AB,具有良好的散热能力,适合高功率应用。同时,其栅极驱动电压范围为 ±20V,兼容多种常见的 MOSFET 驱动器,便于设计和集成。
  另外,BUK6D30-40EX 的快速开关性能使其适用于高频开关电路,有助于减小电感器和电容器的尺寸,从而进一步提升系统效率并减小整体电路体积。此外,其出色的雪崩能量耐受能力也增强了器件在高应力工作条件下的可靠性。

应用

BUK6D30-40EX 主要适用于需要高效率、高电流和低导通损耗的功率电子系统。其典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及电源管理模块等。由于其高电流承载能力和低导通电阻,该器件非常适合用于笔记本电脑、服务器、工业电源以及电动车辆的功率系统中。
  在同步整流器应用中,BUK6D30-40EX 可以显著降低整流损耗,提高转换效率。在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为主开关器件,适用于降压(Buck)或升压(Boost)拓扑结构。此外,在电池管理系统中,它可用于电池充放电控制和负载切换,确保系统的高效运行和稳定性。
  由于其优异的热性能和高可靠性,该器件也广泛用于需要长时间运行的工业设备和高功率密度系统中,如不间断电源(UPS)、逆变器和马达控制模块等。

替代型号

[
   "BUK6D40-40EX",
   "BUK6D60-40EX",
   "IRF3205",
   "SiR144DP-T1-GE3"
  ]

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BUK6D30-40EX参数

  • 现有数量11,182现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥1.22269卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta),18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)440 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta),19W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘