类型：单向 TVS 二极管
　　封装：SOD-882（DFN1006-2）
　　峰值脉冲功率：100 W（8/20 μs 电流波）
　　反向关态电压（VRWM）：5 V
　　击穿电压（VBR）：最小 6.4 V，典型 7.1 V，最大 8.2 V
　　钳位电压（VC）：13.2 V（在 IPP = 5.3 A 时）
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：7.6 A
　　漏电流（IR）：小于 1 μA（在 VRWM = 5 V 时）
　　电容（Cj）：典型值 0.7 pF（在 Vr = 0 V，f = 1 MHz 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

LP-02-1V 的一个显著特性是其超低结电容，典型值仅为 0.7 pF，这一特性使其非常适合用于保护高速信号线路，例如 USB 2.0、HDMI、MIPI、RF 天线接口和高速数据通信端口。在这些应用中，过高的寄生电容会导致信号完整性下降，表现为信号衰减、反射和时序失真，而 LP-02-1V 凭借其极低的电容几乎不会引入额外的信号干扰，确保了数据传输的稳定性和完整性。此外，该器件具有极快的响应速度，能够在纳秒甚至皮秒级别内响应瞬态电压事件，迅速将过电压能量泄放到地，从而有效防止敏感 CMOS 器件因静电积累而发生栅氧击穿或热损坏。其采用先进的硅半导体工艺制造，具备优异的重复性和可靠性，在经历多次 ESD 冲击后仍能保持稳定的电气性能。LP-02-1V 还具有低漏电流特性，在正常工作电压下漏电流低于 1 μA，这不仅减少了静态功耗，也避免了对高阻抗信号路径的干扰。该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，并通过了 AEC-Q101 汽车级认证，表明其在高温、高湿和机械振动等恶劣环境下的长期稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。
　　另一个关键特性是其紧凑的 SOD-882 表面贴装封装，这种微型封装不仅节省宝贵的 PCB 面积，还优化了内部引线结构以减少寄生电感，从而进一步提升高频瞬态响应能力。低寄生电感有助于在 ESD 事件期间维持较低的钳位电压，提高保护效果。同时，该封装支持自动化贴片生产，便于大规模制造，提升了生产效率和一致性。Littelfuse 提供详细的 SPICE 模型和 IBIS 模型，便于工程师在电路设计阶段进行仿真验证，确保系统级 ESD 防护策略的有效性。此外，LP-02-1V 的额定峰值脉冲功率为 100 W，足以应对大多数消费类和工业类设备中可能遇到的瞬态威胁，包括人体模型（HBM）、机器模型（MM）和充电器件模型（CDM）等 ESD 类型。综合来看，LP-02-1V 在小型化、高性能和高可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子系统中理想的 ESD 保护解决方案之一。

LP-02-1V 广泛应用于需要高水平 ESD 保护且空间受限的电子设备中。在消费电子领域，它常用于智能手机和平板电脑中的 USB Type-C、microUSB、耳机插孔、SIM 卡槽和触摸屏控制器接口的保护，防止用户日常使用中因摩擦或接触产生的静电损坏内部芯片。在通信设备中，该器件可用于保护 Wi-Fi、蓝牙和 GPS 模块的射频前端，确保无线信号传输的稳定性。在可穿戴设备如智能手表和健康监测手环中，由于其微型封装和低功耗特性，LP-02-1V 成为理想选择，可在不影响佩戴舒适性和电池续航的前提下提供可靠的电路保护。此外，在工业自动化和汽车电子中，该器件可用于保护 CAN 总线、LIN 总线和传感器接口，抵御工厂环境中常见的电快速瞬变（EFT）和雷击感应电压。医疗电子设备中，用于保护患者连接的传感器接口，确保设备在复杂电磁环境下的安全运行。其 AEC-Q101 认证也使其适用于车载信息娱乐系统、ADAS 传感器模块和车内网络通信接口。总之，任何需要在微小空间内实现高效 ESD 防护的应用场景均可考虑采用 LP-02-1V。