时间：2025/7/10 2:24:55
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FDD1600N10ALZD是一款由Fairchild（现为Onsemi安森美）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用N沟道增强型技术，设计用于高效率开关电源、电机驱动器和负载切换等应用。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力和快速开关速度，适用于广泛的工业和消费类电子设备中。
最大漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ
栅极电荷(Qg)：49nC
总功耗(Ptot)：216W
结温范围(Tj)：-55°C to 175°C
封装形式：TO-247
FDD1600N10ALZD具有非常低的导通电阻，在高电流应用下能够显著减少功率损耗并提高系统效率。
该MOSFET具备出色的热性能，支持在较高温度范围内工作，确保了器件在严苛环境中的可靠性。
同时，它还拥有较快的开关速度，有助于降低开关损耗，并且可以承受较高的雪崩能量，增强了系统的安全性与稳定性。
FDD1600N10ALZD的栅极阈值电压较低，便于通过逻辑电平直接驱动，简化了电路设计过程。
其封装采用标准的TO-247，易于安装和散热管理。
该MOSFET广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合，例如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)以及各类工业自动化设备中的负载切换模块等。
此外，由于其良好的电气特性和耐高温能力，FDD1600N10ALZD也适合用于汽车电子领域，如电动车辆牵引逆变器或车载充电器等场景。
FDP16N10,
IRLB8748PBF,
STP16NF10,
IXFN16N10P
