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DMG4466SSS 发布时间 时间:2025/5/8 14:53:59 查看 阅读:5

DMG4466SSS是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化封装,具有低导通电阻和快速开关性能的特点。它广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域中的电源管理与信号切换场景。
  这款MOSFET适用于需要高效能和低功耗的应用场合,例如DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:5.2A
  导通电阻(典型值):10mΩ
  栅极电荷:12nC
  工作结温范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT-23

特性

DMG4466SSS具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,得益于其较小的栅极电荷,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 小型化的SOT-23封装,节省了PCB空间,特别适合对尺寸有严格要求的设计。
  5. 工作温度范围宽广,能够适应多种复杂的工作环境。

应用

DMG4466SSS适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代元件。
  3. 各类负载开关,用于实现电路的快速启停。
  4. 电池保护电路,防止过充、过放及短路等情况。
  5. 消费类电子产品中的电机驱动和信号切换功能。

替代型号

DMG4467SSS, DMG4470UFG, BSC010N06NS3

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