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IXST30N60BD1 发布时间 时间：2023/3/6 14:24:37 查看 阅读：870

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: TO-268AA

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

  


目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: TO-268AA

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 55 A

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C

    安装风格: SMD/SMT


资料

厂商
IXYS

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IXST30N60BD1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）2.7V @ 15V，55A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）55A
  • 功率 - 最大200W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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