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NTH4L045N065SC1 发布时间 时间:2025/6/21 15:08:20 查看 阅读:3

NTH4L045N065SC1 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-247 封装。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的场景。它具有出色的开关性能和耐热性,广泛应用于工业、汽车及消费电子领域。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:2300pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

NTH4L045N065SC1 具有较低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  其高耐压值(650V)使其非常适合高压应用环境,如 SMPS 和电机驱动器。
  此外,该器件具备快速开关能力以及优异的热稳定性,可确保在高频和高温条件下可靠运行。
  TO-247 的封装形式提供了良好的散热性能,进一步增强了器件的耐用性和使用寿命。

应用

NTH4L045N065SC1 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机控制、光伏逆变器等需要高效能功率转换和管理的场合。
  由于其高电压和大电流承受能力,这款 MOSFET 也常被用作汽车电子中的负载开关或保护电路组件。

替代型号

NTH4L045N065SC2, IRFP260N, STP45NF06

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NTH4L045N065SC1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥121.71000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)55A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V,18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 25A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.3V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)105 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1870 pF @ 325 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)187W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4