容量：8Gb (1GB 字节)
　　接口类型：Serial NAND (SPI-like)
　　封装形式：WSON8 (6mm x 5mm)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高支持 104MHz (Dual I/O)
　　读取电流：典型值 8mA @ 50MHz
　　写入/编程电流：典型值 15mA
　　待机电流：小于 1μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　写入耐久性：10,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10 年（典型值）
　　内部结构：每页 2048 + 64 字节（主区+备用区）
　　块大小：64 页/块，共 1024 块
　　支持指令集：标准 SPI 指令（如 Read, Program, Erase）
　　ECC支持：片内硬件 ECC（通常为 4-bit 或更高）
　　可靠性：符合 AEC-Q100（部分型号）
　　环保标准：符合 RoHS 规范

W08G Serial NAND Flash 在架构设计上采用了串行接口技术，相较于传统的并行NAND Flash，显著减少了引脚数量和PCB布线复杂度，从而降低了整体系统成本和空间占用。其核心特性之一是集成了高效的命令协议，支持标准SPI指令集，包括快速读取（Fast Read）、页编程（Page Program）和块擦除（Block Erase）等操作，能够实现高达104MHz的传输速率，尤其在Dual I/O模式下可进一步提升吞吐性能，满足实时性要求较高的应用场景。该芯片内部组织结构为每页2048字节主数据区加64字节备用区（Spare Area），共1024个块，每个块包含64页，这种布局便于固件更新、日志记录及小数据块管理。
　　另一个关键特性是其内置的硬件ECC（Error Correction Code）引擎，通常支持4-bit或更强的纠错能力，可在读写过程中自动检测并修正位错误，有效提高数据完整性与系统稳定性，特别适用于噪声环境或长期运行的工业设备。同时，W08G具备良好的耐用性和数据保持能力，标称可承受至少10,000次编程/擦除循环，数据保存时间可达10年以上（在正常工作条件下），确保了产品在整个生命周期内的可靠运行。此外，该器件支持多种电源管理模式，包括主动运行、待机及深度掉电模式，其中深度掉电模式下的静态电流低于1μA，非常适合电池供电或低功耗物联网节点使用。
　　W08G还具备较强的环境适应性，工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级标准，能够在恶劣环境下稳定工作。封装采用WSON8无铅小型封装，不仅节省空间，也便于自动化贴装生产。该芯片广泛兼容主流微控制器（MCU）和SoC平台，无需复杂的驱动程序即可集成到现有系统中，大大缩短了开发周期。总体而言，W08G以其高集成度、低功耗、高可靠性和紧凑封装，成为嵌入式系统中理想的中等容量存储解决方案。

W08G芯片广泛应用于各类需要非易失性存储且对空间和功耗敏感的嵌入式系统中。常见用途包括物联网（IoT）终端设备中的固件存储，如智能传感器、无线网关和远程监控模块；在消费类电子产品中，用于TWS耳机、智能手表、电子标签和便携式音频播放器的配置数据与音频缓存存储；工业控制领域则将其用于PLC控制器、HMI人机界面、条码扫描仪和POS机的启动代码和参数保存；此外，在汽车电子中，部分车载模块如车载记录仪、胎压监测系统（TPMS）接收端和车身控制模块也会采用此类Serial NAND作为辅助存储介质。由于其支持SPI接口并具备良好兼容性，W08G也常被用作MCU外挂存储器，扩展其本地存储能力，尤其适用于不带内部大容量Flash的低成本处理器平台。同时，因其具备一定抗干扰能力和温度适应性，也可部署于户外设备或工业现场环境中执行数据记录任务。

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