类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　品牌：Diodes Incorporated
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压 VRRM：100V
　　最大直流阻断电压 VR：100V
　　最大平均整流电流 IO：1A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：30A
　　最大正向电压 VF @ IF：850mV @ 1A
　　最大反向漏电流 IR：200μA @ 100V
　　工作结温范围 TJ：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

ES1B-13-F的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构使得该二极管在导通时表现出极低的正向压降（VF），典型值仅为850mV，在1A的工作电流下显著降低了功耗，提高了电源转换效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长续航时间并减少发热问题。
　　该器件具备优异的开关速度，属于快速恢复类型，反向恢复时间非常短，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电源、DC-DC转换器等应用中表现良好。它能有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计，提高系统的电磁兼容性（EMC）。
　　SOD-123FL封装是一种小型化、扁平化的表面贴装封装，尺寸仅为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm左右，极大节省了PCB布局空间，特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的产品。尽管封装小巧，但其引脚设计仍能保证足够的焊接强度和散热能力，确保长期运行的稳定性。
　　ES1B-13-F具有较强的环境适应性，可在-55°C至+125°C的结温范围内稳定工作，满足工业级温度要求。同时，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子中的辅助电源模块。其最大反向漏电流控制在200μA以内，在高温条件下也能保持较低水平，避免因漏电增加而导致的功耗上升或误动作。
　　此外，该产品采用无铅和无卤素材料制造，符合现代环保法规如IEC 61249-2-21标准，支持绿色环保生产流程。其包装形式通常为卷带编带，适用于高速自动贴片机作业，提升了生产效率与一致性。总体而言，ES1B-13-F是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，兼顾效率、尺寸与环保要求。

ES1B-13-F广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子电路中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如手机、蓝牙耳机、智能手表等设备的充电回路或电池保护电路，利用其低正向压降特性来降低能量损失，延长待机时间。
　　在DC-DC转换器中，该二极管常被用作续流二极管或输出整流元件，特别是在非隔离式 buck 和 boost 拓扑结构中发挥关键作用。由于其快速开关特性，能够有效配合高频开关动作，减少反向恢复损耗，从而提升转换效率并降低温升。
　　在适配器和AC-DC电源模块中，ES1B-13-F可用于次级侧整流环节，尤其适用于低功率电源设计（如5W~15W）。虽然其100V耐压限制了在高压母线上的直接应用，但在经过变压器降压后的低压侧仍具备良好适用性。
　　此外，该器件也常用于反向极性保护电路，防止电源接反而损坏后级IC；也可作为噪声抑制元件，用于信号线路的钳位与瞬态电压吸收。在汽车电子领域，如车载USB充电口、仪表盘电源模块等，凭借其可靠的温度性能和环保合规性，也被广泛采用。
　　其他潜在应用还包括LED驱动电源、网络通信设备的板级电源、工业传感器供电模块以及各种嵌入式控制系统中的电压整流与隔离功能。其小尺寸封装特别适合高密度PCB布局需求，是现代电子产品中不可或缺的基础元器件之一。

1N5819WS-13-F
　　SB1100-T1-E3
　　MBR1100T1G