时间：2025/8/5 22:53:17
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IXSH25N100是IXYS公司生产的一款高电压、高电流能力的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电源转换应用。该器件具备1000V的漏源击穿电压和25A的额定漏极电流，适用于如电源开关、逆变器、DC-DC转换器以及电机控制等需要高压和大电流处理能力的场合。IXSH25N100采用了TO-247封装，这种封装形式具有良好的热性能和机械稳定性，适合工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1000V
栅源电压（Vgs）：±30V
额定漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.42Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXSH25N100是一款高性能的功率MOSFET，具备优异的导通和开关特性。其主要特性之一是高耐压能力，漏源之间的最大电压可达1000V，使得该器件适用于高压电源转换系统。此外，该MOSFET的额定漏极电流为25A，在高功率应用中能够提供稳定的电流传输能力。
该器件的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.42Ω，较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。在开关特性方面，IXSH25N100具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小电源系统的体积和重量。
IXSH25N100还具备良好的热稳定性和较高的可靠性，TO-247封装提供了优良的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够适应各种严苛的工作环境，适用于工业控制、电力电子和汽车电子等领域。
IXSH25N100广泛应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统等。由于其高电压和大电流能力，该MOSFET特别适用于需要高压开关和高能效的工业和消费类电子产品。此外，该器件也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车的电源管理系统。
IXSH25N100A, IXFH25N100, IRFP460LC, STF10N100
