RFR6220 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)设计制造的射频(RF)放大器芯片,主要用于无线通信系统中的射频信号增强。该芯片工作频率范围广泛,适用于多种无线应用,包括蜂窝通信、无线基础设施、工业自动化和测试设备等。RFR6220 采用先进的 GaN(氮化镓)技术,具有高功率密度和高效率,适合在高温和高功率环境下运行。
类型:射频功率放大器
工艺技术:GaN(氮化镓)
工作频率范围:1.8 GHz - 2.7 GHz
输出功率:典型值为 100W(连续波)
增益:典型值 20dB
电源电压:+28V
封装类型:工业标准金属陶瓷封装
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
效率:典型值超过 65%
线性度:优异的线性输出特性
阻抗匹配:50Ω 输入/输出
RFR6220 具备多项高性能特性,首先是其宽频率覆盖范围,使其适用于从蜂窝通信到雷达系统的多种高频应用。该芯片采用 GaN 技术,相比传统 LDMOS 技术,具有更高的击穿电压、更高的热导率和更高的工作温度耐受性,从而实现更高的可靠性和更长的使用寿命。
在功率性能方面,RFR6220 提供高达 100W 的连续波输出功率,增益典型值为 20dB,适用于需要高功率放大的场景。其高效率(超过 65%)特性有助于降低功耗,减少散热需求,从而简化系统设计并提高整体能效。
该芯片具有良好的线性度表现,适合用于对信号保真度要求较高的通信系统。此外,其输入和输出端口均采用 50Ω 阻抗匹配设计,便于与射频前端模块或天线系统进行集成。RFR6220 的封装形式为金属陶瓷封装,具备良好的热管理性能和机械稳定性,能够适应恶劣的工业环境。
工作温度范围宽达 -40°C 至 +150°C,使 RFR6220 能够在极端环境条件下稳定运行。其高可靠性设计使其成为基站、雷达、军事通信等关键任务应用的理想选择。
RFR6220 主要应用于无线通信基础设施,如 4G/5G 基站、小基站(Small Cell)、分布式天线系统(DAS)等。其高功率输出和高效率特性也使其适合用于雷达系统、工业加热设备、医疗射频设备以及测试与测量仪器。
此外,RFR6220 还可用于宽带无线接入系统、点对点微波通信、射频能量传输系统等高端工业和军事应用。在这些场景中,RFR6220 能够提供稳定、高效的射频功率放大能力,满足复杂环境下的高性能需求。
Cree/Wolfspeed CGH40010F, NXP AFT05HP100F, Qorvo T2G6000528-FS