IRFS3107 时间：2025/5/10 9:18:58 阅读：11

IRFS3107是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用PQFN5*6封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　IRFS3107的额定电压为30V，适用于低压应用场景，并且其出色的热性能和电气特性使其成为众多高效能设计的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：42A
　　导通电阻：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：38nC（典型值）
　　开关时间：ton=9ns，toff=19ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：PQFN5*6

特性

IRFS3107具备极低的导通电阻，能够显著减少导通损耗，从而提升整体效率。此外，该器件还具有快速开关能力，可以降低开关损耗。其优化的封装设计提高了散热性能，支持更高功率密度的应用场景。
　　IRFS3107采用了先进的制程技术，确保了出色的可靠性和稳定性。它能够在较高温度范围内正常工作，适用于各种严苛环境下的电力电子应用。另外，其低栅极电荷特性有助于减少驱动损耗，特别适合高频开关应用。

应用

IRFS3107常用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电池保护电路
　　4. 电机驱动与控制
　　5. 电信和网络设备中的负载切换
　　6. 消费类电子产品中的电源管理
　　由于其低导通电阻和高效性能，IRFS3107非常适合需要高效率和高功率密度的设计。