时间：2025/9/14 18:14:51
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IXGP16N60B2D1是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，设计用于高电压、高电流的应用。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻和优良的热性能，适合用于电源管理和功率转换系统。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：16A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
IXGP16N60B2D1具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。此外，它具备较高的击穿电压能力，适合用于高压应用场景。其TO-247封装形式有助于提高散热效率，确保在高负载条件下的稳定性能。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺，提供了卓越的耐用性和可靠性。其栅极驱动设计优化，降低了开关损耗，并且能够在高频工作条件下保持稳定性能。这些特性使得IXGP16N60B2D1成为电源转换器、电机控制、工业自动化等应用的理想选择。
IXGP16N60B2D1广泛应用于各种高电压和高功率的电子系统中，例如开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS系统、工业控制设备以及太阳能逆变器等。其高耐压和低导通电阻特性使其在电力电子转换和控制领域表现出色。
STP16N60M5, FQP16N60C, IRFP460LC
