MC10H103PD 是一款由 ON Semiconductor 生产的高速 ECL(Emitter-Coupled Logic,发射极耦合逻辑)电压比较器集成电路。该芯片采用先进的双极型工艺制造,专为需要高速、低功耗和稳定性能的数字和模拟混合应用设计。MC10H103PD 提供了两个独立的差分比较器通道,每个通道均可独立配置为电压比较器或差分放大器使用。
型号:MC10H103PD
类型:ECL 电压比较器
电源电压:5.0V(典型)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
输出类型:差分 ECL 输出
输入偏置电流:最大 500nA(典型)
比较器响应时间:小于 1.5ns
封装类型:16 引脚 DIP 或 SOIC
封装材料:塑料封装
功耗:典型 150mW
MC10H103PD 的核心特性之一是其极快的响应时间,通常小于 1.5ns,这使其非常适合高速信号比较和时序控制应用。
该芯片的输入结构支持宽范围的共模电压,允许输入电压在接近电源电压范围内工作,提高了其在复杂信号环境中的适应能力。
其差分输出结构提供 ECL 电平兼容的信号,能够直接驱动其他 ECL 或 PECL(伪 ECL)电路,减少了额外电平转换的需求,简化了系统设计。
MC10H103PD 的每个比较器通道都是独立的,可以灵活配置为单端输入模式或差分输入模式,适应不同的信号源类型。
此外,该器件具有良好的温度稳定性和抗干扰能力,能够在高温和复杂电磁环境中保持稳定的工作性能。
其低功耗设计在高速芯片中相对节能,典型功耗为 150mW,适用于对功耗有一定限制的应用场景。
封装方面,MC10H103PD 提供 16 引脚 DIP 和 SOIC 封装,便于在不同的 PCB 设计中进行布局和焊接。
MC10H103PD 被广泛应用于高速数字电路、通信系统、测试设备、雷达和仪器仪表中,作为高速电压比较器使用。
它适用于时钟和数据恢复电路(CDR)中的比较器部分,帮助从高速串行数据流中提取时钟信号。
在数据采集系统中,MC10H103PD 可用于将模拟信号转换为数字信号,作为高速比较器使用。
此外,它也常用于脉冲信号处理、激光控制系统、高速触发电路和模拟-数字混合系统中。
在航空航天和军事电子系统中,MC10H103PD 凭借其高可靠性和宽温度范围,被用于关键的信号处理和控制模块中。
其差分输出特性也使其适合用于驱动高速线路驱动器或光模块中的控制电路。
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