PBHV9050Z 时间：2025/9/15 4:01:43 阅读：15

PBHV9050Z是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的高压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高电压和高效率的电源管理应用。该器件设计用于在高达900V的工作电压下运行，具有优异的导通电阻和开关性能，适合工业电机控制、电动汽车系统、智能电网设备以及各类高功率开关电源（SMPS）中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：1.2A
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　导通电阻（Rds(on)）：最大1.2Ω（@Vgs=10V）
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK、TO-247等
　　功率耗散（Ptot）：65W

特性

PBHV9050Z具备多种优异的电气和热性能，首先其高达900V的漏源电压使其适用于高电压应用场景，能够有效减少电路中的元件数量并提升系统稳定性。其次，该MOSFET采用了先进的高压技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了能效。
　　此外，PBHV9050Z的栅极结构设计具有较高的抗静电能力（ESD）和较强的栅极稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应严苛的工业和汽车应用环境。其封装形式多样，包括常见的TO-220AB、D2PAK和TO-247等，便于根据不同的散热需求进行选型和布局。
　　该器件还具备良好的开关性能，具有较快的开关速度，从而减少了开关损耗。同时，其热阻较低，有助于在高负载情况下保持较低的工作温度，提高系统的可靠性和寿命。

应用

PBHV9050Z广泛应用于高电压和高功率的电子系统中，例如智能电表、电力线通信设备、高电压DC-DC转换器、工业自动化控制系统以及电动汽车的电源管理系统等。此外，它也常用于各种高电压电源的开关电路中，如光伏逆变器、高压LED驱动电源、工业电机驱动器和智能电网设备等。
　　由于其高耐压特性，该MOSFET也适用于需要隔离和高可靠性的医疗设备电源、高压测试设备以及工业传感器供电系统。在汽车电子领域，PBHV9050Z可用于车载充电系统、高压电池管理系统以及电动助力转向系统等关键电源控制模块。