时间：2025/4/29 13:00:38
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CC45SL3FD220JYAN 是一款基于硅技术的高速、低功耗 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片具有高性能和高可靠性，广泛应用于需要快速数据访问和低功耗的场景。其封装形式为 FBGA，适合在紧凑型设计中使用。
CC45SL3FD220JYAN 的工作电压范围较宽，能够适应多种电源环境，并且支持突发模式操作以提高数据传输效率。
存储容量：220Mb
数据宽度：x8/x16/x36/x72可选
核心电压：1.8V ± 0.1V
I/O电压：1.8V 或 2.5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
访问时间：最快 10ns
封装类型：FBGA
引脚数：196
最大功耗：2.2W（典型值）
CC45SL3FD220JYAN 提供了多种增强功能以优化性能和能效。首先，它采用了先进的制造工艺，确保芯片在高频运行时仍能保持低功耗。
其次，该芯片支持突发长度可编程，用户可以根据具体需求调整突发传输的长度，从而提升数据吞吐量。
此外，内置的自动功率管理功能可以在空闲状态时显著降低功耗，非常适合便携式或电池供电设备。
最后，其高度可靠的错误检测与校正机制保证了数据的完整性，尤其是在关键任务应用中表现优异。
CC45SL3FD220JYAN 广泛用于网络通信设备、服务器缓存、工业自动化控制器以及医疗成像系统等对数据处理速度和稳定性要求较高的领域。
在网络通信方面，它可以作为高速缓冲存储器来暂存数据包，减少延迟并提高吞吐量。
在服务器应用中，这款 SRAM 能够加速临时数据的读写操作，进而改善整体性能。
此外，由于其出色的可靠性和耐久性，CC45SL3FD220JYAN 还被用于航空航天和军事电子系统中的数据存储组件。
CC45SL3FD220JXBN, CC45SL3FD220HYAN
