时间：2025/7/8 22:28:13
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LTVS23H712CLT1G 是一款基于 CMOS 工艺制造的双向 TVS（瞬态电压抑制）二极管阵列，主要用于保护高速数据线免受 ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有极低的电容特性，适合用于高速信号线路保护，例如 USB 2.0、HDMI 和其他高速接口。
该型号采用了紧凑型封装设计，有助于节省电路板空间，同时具备高可靠性和出色的抗干扰性能，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。
工作电压：±24V
峰值脉冲电流：5A
钳位电压：36.8V
动态电阻：0.6Ω
电容：12pF
响应时间：≤1ns
结电容：12pF
最大反向工作电压：24V
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
1. 双向保护设计，能够有效抑制正负方向的过压事件。
2. 极低的电容值（12pF），确保对高速信号的影响最小化。
3. 快速响应时间（≤1ns），可迅速抑制瞬态过压。
4. 高可靠性，符合 IEC 61000-4-2 标准，支持 ±30kV（空气放电）和 ±30kV（接触放电）。
5. 小型化封装（如 CLT1G），适用于空间受限的设计。
6. 宽工作温度范围（-55°C 至 +125°C），适应各种环境条件。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. USB 2.0 和 USB 3.0 接口保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护。
3. 高速以太网接口保护。
4. 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的天线和射频线路保护。
5. 工业控制设备中的数据通信接口保护。
6. 消费类电子产品中的音频和视频信号线保护。
7. 无线模块（如蓝牙、Wi-Fi）中的射频前端保护。
LTC15ESD24CA, PESD2V8B24BUSLT, SM712
