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LTVS23H712CLT1G 发布时间 时间:2025/7/8 22:28:13 查看 阅读:11

LTVS23H712CLT1G 是一款基于 CMOS 工艺制造的双向 TVS(瞬态电压抑制)二极管阵列,主要用于保护高速数据线免受 ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有极低的电容特性,适合用于高速信号线路保护,例如 USB 2.0、HDMI 和其他高速接口。
  该型号采用了紧凑型封装设计,有助于节省电路板空间,同时具备高可靠性和出色的抗干扰性能,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。

参数

工作电压:±24V
  峰值脉冲电流:5A
  钳位电压:36.8V
  动态电阻:0.6Ω
  电容:12pF
  响应时间:≤1ns
  结电容:12pF
  最大反向工作电压:24V
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C

特性

1. 双向保护设计,能够有效抑制正负方向的过压事件。
  2. 极低的电容值(12pF),确保对高速信号的影响最小化。
  3. 快速响应时间(≤1ns),可迅速抑制瞬态过压。
  4. 高可靠性,符合 IEC 61000-4-2 标准,支持 ±30kV(空气放电)和 ±30kV(接触放电)。
  5. 小型化封装(如 CLT1G),适用于空间受限的设计。
  6. 宽工作温度范围(-55°C 至 +125°C),适应各种环境条件。
  7. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

1. USB 2.0 和 USB 3.0 接口保护。
  2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护。
  3. 高速以太网接口保护。
  4. 移动设备(如智能手机和平板电脑)中的天线和射频线路保护。
  5. 工业控制设备中的数据通信接口保护。
  6. 消费类电子产品中的音频和视频信号线保护。
  7. 无线模块(如蓝牙、Wi-Fi)中的射频前端保护。

替代型号

LTC15ESD24CA, PESD2V8B24BUSLT, SM712

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