DMG6968UDM 时间：2025/6/21 2:51:15 阅读：3

DMG6968UDM是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率转换和开关应用。它采用UD-DFN5封装形式，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特性，适合于便携式设备、电源管理模块以及各种高效能要求的应用场景。
　　该器件由Diodes Incorporated公司生产，设计用于降低系统功耗并提高效率，特别适用于负载开关、DC-DC转换器、同步整流器和电池保护电路等场合。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±8V
　　连续漏极电流：2.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ
　　总电荷量（Qg）：4nC
　　栅极电荷（Qgs）：1.8nC
　　输入电容（Ciss）：280pF
　　输出电容（Coss）：70pF
　　反向传输电容（Crss）：14pF
　　工作温度范围：-55°C to 150°C

特性

DMG6968UDM具备超低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够减少能量损耗，同时提升整体效率。
　　此外，其快速开关能力有助于降低开关损耗，并允许更高的工作频率，从而缩小无源元件的尺寸。
　　该器件还具有出色的热稳定性，确保在高温环境下也能正常运行。
　　UD-DFN5封装不仅节省空间，而且便于表面贴装，非常适合紧凑型设计需求。
　　由于其低栅极电荷和小封装尺寸，DMG6968UDM成为便携式电子设备的理想选择。

应用

DMG6968UDM广泛应用于多种领域，包括但不限于：
　　1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理单元。
　　2. 各种类型的DC-DC转换器及降压/升压拓扑。
　　3. 同步整流电路以提高转换效率。
　　4. 电池供电设备中的保护和控制功能。
　　5. LED驱动器和其他需要高效功率切换的应用。