LH28F008SCHB 是由 Rohm(罗姆)公司生产的一款 NOR 型闪存(Flash Memory)芯片。这款芯片的存储容量为 8 Mbit(1M x 8),适用于需要嵌入式非易失性存储器的应用场景。LH28F008SCHB 采用了高性能的 CMOS 技术,具有低功耗、高可靠性和较长的擦写寿命。其工作电压为 2.7V 至 5.5V,支持多种电源供电环境,适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。
容量:8 Mbit
组织方式:1M x 8
电压范围:2.7V - 5.5V
访问时间:70ns
封装类型:48引脚 TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦除周期:100,000 次
编程周期:100,000 次
数据保持时间:10 年
读取电流:10 mA(典型值)
待机电流:10 μA(最大值)
LH28F008SCHB 具有多种优异的性能特点。首先,其宽电压范围(2.7V 至 5.5V)使其能够适应多种电源环境,提高了系统的兼容性和灵活性。芯片支持快速的访问时间(70ns),确保了在高速系统中的稳定运行。
该器件采用低功耗设计,在正常读取模式下仅消耗 10 mA 的电流,待机模式下更是降至 10 μA,适用于对功耗敏感的应用,如便携式设备和远程控制系统。此外,LH28F008SCHB 提供了高达 100,000 次的擦除和编程周期,确保了其在频繁更新数据的应用场景中的长期可靠性。
它还支持软件控制的数据保护功能,防止意外写入或擦除,提高了数据的安全性。同时,该芯片支持 JEDEC 标准的封装和引脚排列,便于与其他系统组件兼容和集成。
LH28F008SCHB 广泛应用于各种嵌入式系统和工业控制设备中。常见的应用场景包括微控制器系统的程序存储器、固件存储、数据记录设备、通信模块、汽车电子系统以及消费类电子产品中的非易失性存储需求。
由于其高可靠性和宽温度范围(-40°C 至 +85°C),该芯片特别适合工业环境和汽车电子系统中对稳定性要求较高的场合。此外,其低功耗特性也使其成为电池供电设备和远程监控系统的理想选择。
S29GL008S10TFR20, M29F008TB