时间：2022/10/11 11:00:03
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HEXFET N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
HEXFET N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
额定功率：140 W
针脚数：3
漏源极电阻：0.00734 Ω
极性：N-Channel
耗散功率：140 W
阈值电压：2 V
输入电容：3070 pF
漏源极电压(Vds)：75 V
连续漏极电流(Ids)：80A
上升时间：110 ns
输入电容(Ciss)：3070pF @50V(Vds)
额定功率(Max)：140 W
下降时间：96 ns
工作温度(Max)：175 ℃
工作温度(Min)：-55 ℃
耗散功率(Max)：140W (Tc)
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：TO-252-3
长度：6.73 mm
宽度：7.49 mm
高度：2.39 mm
封装：TO-252-3
材质：Silicon
工作温度：-55℃ ~ 175℃ (TJ)
