HEXFET N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
HEXFET N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
额定功率:140 W
针脚数:3
漏源极电阻:0.00734 Ω
极性:N-Channel
耗散功率:140 W
阈值电压:2 V
输入电容:3070 pF
漏源极电压(Vds):75 V
连续漏极电流(Ids):80A
上升时间:110 ns
输入电容(Ciss):3070pF @50V(Vds)
额定功率(Max):140 W
下降时间:96 ns
工作温度(Max):175 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):140W (Tc)
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:TO-252-3
长度:6.73 mm
宽度:7.49 mm
高度:2.39 mm
封装:TO-252-3
材质:Silicon
工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ)