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IRFR3607TRPBF 发布时间 时间:2022/10/11 11:00:03 查看 阅读:655

    HEXFET N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

    N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

    Infineon 系列分离式 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


目录

概述

    HEXFET N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

    N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

    Infineon 系列分离式 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。



参数

    额定功率:140 W

    针脚数:3

    漏源极电阻:0.00734 Ω

    极性:N-Channel

    耗散功率:140 W

    阈值电压:2 V

    输入电容:3070 pF

    漏源极电压(Vds):75 V

    连续漏极电流(Ids):80A

    上升时间:110 ns

    输入电容(Ciss):3070pF @50V(Vds)

    额定功率(Max):140 W

    下降时间:96 ns

    工作温度(Max):175 ℃

    工作温度(Min):-55 ℃

    耗散功率(Max):140W (Tc)

    安装方式:Surface Mount

    引脚数:3

    封装:TO-252-3

    长度:6.73 mm

    宽度:7.49 mm

    高度:2.39 mm

    封装:TO-252-3

    材质:Silicon

    工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ)


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IRFR3607TRPBF参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C56A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 46A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs84nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3070pF @ 50V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR3607TRPBFTR