时间：2025/8/6 11:59:04
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IXFN73N30Q 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高功率电子设备中。该器件具有高电流容量、低导通电阻和出色的热性能，适用于各种高效率电源转换器和电机控制电路。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：300 V
最大漏极电流（Id）：73 A
导通电阻（Rds(on)）：最大 0.042 Ω
最大栅极电压（Vgs）：±20 V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247AC
最大耗散功率（Pd）：320 W
IXFN73N30Q 采用了先进的功率 MOSFET 技术，提供了优异的导通和开关性能。其低导通电阻减少了导通损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件具有高耐压能力，适用于需要高可靠性和稳定性的应用。其 TO-247AC 封装有助于良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力和高短路耐受能力，使其在严苛的工作环境中表现出色。此外，IXFN73N30Q 的设计优化了开关速度，减少了开关损耗，并降低了电磁干扰（EMI）。其栅极驱动要求较低，适用于多种驱动电路设计。
IXFN73N30Q 常用于高功率电源转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等应用。其高电流容量和低导通电阻使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。
IXFN68N30Q, IXFN78N30Q, IRFP7537, SPW47N60CFD7
