时间：2025/7/15 18:52:11
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APM4429KTR-CK 是一款由 Advanced Power Technology 生产的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。APM4429KTR-CK 封装在热增强型 8 引脚表面贴装封装中，适合用于紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流 (ID)：10A
最大漏源电压 (VDS)：30V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：典型值为 0.025Ω（在 VGS=10V）
功耗 (PD)：2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8 引脚 SOIC
APM4429KTR-CK 的核心优势在于其低导通电阻和高效的开关性能。该器件的 RDS(on) 非常低，在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，其高耐压能力（30V VDS）使其适用于多种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。
这款 MOSFET 还具备良好的热管理特性，封装设计优化了散热性能，确保在高温环境下也能稳定运行。同时，它支持快速开关操作，减少开关损耗并提高系统的响应速度。APM4429KTR-CK 的 ±20V 栅源电压容忍度增强了其在复杂电路环境中的可靠性。
另一个重要特点是其兼容性强，能够与常见的驱动 IC 配合使用，简化电路设计。8 引脚 SOIC 表面贴装封装不仅节省空间，还便于自动化生产和焊接。
APM4429KTR-CK 广泛应用于各种需要高效功率控制的电子设备中。常见应用场景包括笔记本电脑、服务器和工业电源模块的 DC-DC 转换器；电机驱动电路中的高侧或低侧开关；电池管理系统中的充放电控制；以及 LED 照明系统中的调光和功率调节。
此外，该器件也适用于电信设备、UPS（不间断电源）、光伏逆变器等对可靠性和效率要求较高的领域。由于其出色的热性能和小型化封装，APM4429KTR-CK 在紧凑型设计中表现出色，是现代高密度电子系统中不可或缺的关键元件。
Si4429BDY-T1-GE3, IRF7429TRPBFD, FDS4429B_F085
