时间：2025/8/6 10:07:47
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IXGN50N60BD2是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电力电子设备，如电源转换器、电机驱动器和工业控制系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.165Ω
栅极电荷（Qg）：120nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TO-247
IXGN50N60BD2具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高效率。其快速开关特性使其适用于高频操作，从而减小了外围元件的尺寸和成本。此外，该器件具有高热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其TO-247封装设计有助于良好的散热性能，确保在高电流条件下也能保持较低的工作温度。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，增强了其在苛刻环境中的可靠性。
在可靠性方面，IXGN50N60BD2采用了坚固的硅技术，能够承受较大的电流冲击和电压波动。它的栅极氧化层设计优化，提高了器件的长期稳定性和耐用性。此外，该MOSFET的封装材料符合RoHS标准，确保了环保性和兼容性。
IXGN50N60BD2广泛应用于各种高功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、电机控制和驱动器、逆变器、工业自动化系统以及电动汽车充电设备。由于其优异的导通和开关性能，该器件也常用于需要高效能和高可靠性的场合，例如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
IXFH50N60P, IXFN50N60Q, IRFP4668, SiHPX50N60CD
