类型：P 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-8A
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（最大值，@ VGS = -4.5V）
　　栅极电荷（Qg）：6.5nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP

80USC2700M25X35 的主要特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。在负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备中，这种特性尤为重要。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，同时其封装设计支持良好的散热性能，从而延长器件的使用寿命。
　　该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），这使得开关速度更快，减少开关损耗，适用于高频开关应用。对于需要快速响应和高效率的电路设计，这是一个关键优势。
　　80USC2700M25X35 采用 TSOP 封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，并支持自动贴片工艺，提高了生产效率和组装可靠性。
　　其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于多种恶劣环境条件下的应用，如汽车电子、工业控制和便携式设备。

80USC2700M25X35 广泛应用于多个领域，特别是在需要高效能和低功耗的电源管理系统中。例如，在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品中，该器件可作为负载开关或 DC-DC 转换器中的关键组件，实现高效的电源管理。
　　在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于电池管理系统、车载充电器以及车身控制模块等应用。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够适应汽车运行中的复杂环境。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备、电源适配器和 LED 照明驱动器等应用，提供稳定的开关性能和高效的能量转换。

Si2842DS、IRML2803、FDMS3618、BSC027N04LS、NTD18N02CT