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FN18N270J500PSG 发布时间 时间:2025/5/27 15:05:45 查看 阅读:10

FN18N270J500PSG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的制造工艺设计。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等应用。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性,使其能够在高效率和高频率下运行。
  FN18N270J500PSG 提供了优异的热性能和电气性能,能够有效降低功耗并提升系统可靠性。该芯片具有较高的击穿电压(BVdss),确保在高压环境下稳定工作。

参数

最大漏源电压:270V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):450mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下测量)
  栅极电荷:35nC(典型值)
  输入电容:1000pF(典型值)
  总功耗:18W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220

特性

FN18N270J500PSG 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压(270V),适用于高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),减少传导损耗,提高整体效率。
  3. 低栅极电荷设计,支持高频开关操作。
  4. 较宽的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),保证在极端条件下可靠运行。
  5. 具备快速开关速度,适合高频应用场合。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  7. 封装形式为 TO-220,便于安装和散热管理。

应用

该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流和降压/升压转换。
  3. 电机驱动电路中的桥式驱动。
  4. 各种负载开关和保护电路。
  5. UPS 系统及逆变器中的功率控制元件。
  6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  7. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。

替代型号

IRFP270PBF, STP18NF27, FDP18N27

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