时间：2025/5/27 15:05:45
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FN18N270J500PSG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等应用。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性，使其能够在高效率和高频率下运行。
FN18N270J500PSG 提供了优异的热性能和电气性能，能够有效降低功耗并提升系统可靠性。该芯片具有较高的击穿电压（BVdss），确保在高压环境下稳定工作。
最大漏源电压：270V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：450mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下测量）
栅极电荷：35nC（典型值）
输入电容：1000pF（典型值）
总功耗：18W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
FN18N270J500PSG 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（270V），适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻（Rds(on)），减少传导损耗，提高整体效率。
3. 低栅极电荷设计，支持高频开关操作。
4. 较宽的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），保证在极端条件下可靠运行。
5. 具备快速开关速度，适合高频应用场合。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 封装形式为 TO-220，便于安装和散热管理。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和降压/升压转换。
3. 电机驱动电路中的桥式驱动。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. UPS 系统及逆变器中的功率控制元件。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
7. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。
IRFP270PBF, STP18NF27, FDP18N27
