时间：2025/8/5 19:27:57
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IXGN200N07 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。该器件设计用于需要高效能、低导通电阻和高可靠性的场合。该器件采用 TO-247 封装，具有良好的热性能和电流承载能力。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：200A
最大漏极-源极电压 (Vds)：75V
最大栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值 1.8mΩ
功率耗散 (Ptot)：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
IXGN200N07 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗。此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。
其 TO-247 封装形式有助于提高散热效率，适用于需要长时间高负载运行的电源系统和电机控制设备。该 MOSFET 还具备高 dv/dt 耐受能力，能够在快速开关条件下稳定运行，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动器等应用。
另外，IXGN200N07 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，同时具有良好的短路耐受能力，提升了系统的可靠性和安全性。
IXGN200N07 被广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车电机控制器、DC-DC 功率转换器、电池管理系统以及高功率音频放大器等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能功率转换和电机控制的理想选择。
SiHF200N07, IXFN200N07, STP200N7F3, FDP200N07
