LN237N3T5G 时间：2025/8/13 21:18:10 阅读：25

LN237N3T5G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件设计用于高效能、高频率的开关应用，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：110A
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：D2PAK

特性

LN237N3T5G具有多个显著的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）为4.5mΩ，在VGS=10V的条件下，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它能够减少发热并提高整体能效。
　　其次，该MOSFET的漏极-源极电压（VDS）为30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压功率转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。栅极-源极电压（VGS）的最大额定值为±20V，确保其在高电压驱动条件下的可靠性。
　　此外，LN237N3T5G采用D2PAK封装，具有良好的热管理性能，能够有效散热，确保在高功率密度环境下的稳定运行。该封装还支持表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产和PCB布局。
　　该器件的最大漏极电流（ID）为110A，适用于高电流负载的开关控制。同时，其最大功率耗散为250W，表明其在高温环境下仍能保持良好的性能。工作温度范围为-55°C至175°C，适应各种严苛的工作环境，从工业控制到汽车电子应用都能胜任。

应用

LN237N3T5G主要用于各种功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效能电源管理应用。例如，在服务器电源、通信设备电源、电池管理系统（BMS）以及电动工具和汽车电子控制系统中，LN237N3T5G都能提供可靠的开关性能。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于同步整流或主开关元件，以提高转换效率并减少热量产生。在电机驱动器中，它可以作为高侧或低侧开关，控制电机的运行状态。此外，在电池管理系统中，LN237N3T5G可用于实现电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。