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HU52G271MCZS3PF 发布时间 时间:2025/9/6 12:38:17 查看 阅读:6

HU52G271MCZS3PF 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM存储器类别,通常用于需要高速数据访问的应用场景,如计算机内存、服务器、网络设备、嵌入式系统等。这款DRAM芯片的具体规格和性能特点使其适用于工业级和商业级设备中,以满足不同的工作环境需求。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装尺寸:54-pin TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)或商业级(0°C 至 +70°C)
  访问时间:5.4ns(最大)
  刷新周期:64ms
  数据保持电压:1.5V
  最大工作频率:166MHz

特性

HU52G271MCZS3PF 是一款高速、低功耗的DRAM芯片,具有较高的稳定性和可靠性。其TSOP封装形式有助于提高散热性能和空间利用率,适用于紧凑型电子设备的设计。
  该芯片支持异步操作,能够在不依赖系统时钟的情况下进行数据读写操作,从而提高系统的灵活性和响应速度。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其能够适应多种电源供应环境,增强了兼容性。
  HU52G271MCZS3PF 还具备自动刷新和自刷新功能,能够有效减少外部控制器的负担,延长数据保持时间,特别适合需要长时间运行的系统。其64ms的刷新周期确保了数据在断电前的完整性。
  此外,该芯片的高速访问时间(5.4ns)使其在数据吞吐量要求较高的应用中表现出色,如图像处理、实时控制系统和通信设备。

应用

HU52G271MCZS3PF 常用于工业控制设备、通信设备、消费类电子产品、医疗设备、测试仪器等领域。其高速性能和稳定的工作特性使其成为嵌入式系统、图像采集模块、网络路由器和交换机等设备的理想选择。此外,该芯片也可用于老式计算机或工控主板的内存扩展。

替代型号

ISSI IS61LV25616-10B4BLL、Cypress CY7C1041GN30、Alliance AS7C256A-10BC

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