时间：2025/8/6 8:21:17
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IXGH10N100U1是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高电压和高电流性能的功率电子系统中。该器件基于先进的高压U-MOS技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和高耐用性等特点。IXGH10N100U1的额定漏源电压（VDS）为1000V，连续漏极电流（ID）为10A，非常适合用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器和电力电子转换系统等领域。
漏源电压(VDS)：1000V
漏极电流(ID)：10A
栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))：典型值为0.75Ω（最大值0.9Ω）
功率耗散(PD)：250W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247AC
IXGH10N100U1具有多项显著的性能特点。首先，其高耐压能力达到1000V，使其能够在高压环境下稳定运行，适用于多种高电压应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.75Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，其最大漏极电流可达10A，确保在较高负载条件下仍能保持稳定运行。
这款MOSFET采用了IXYS的U-MOS技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了系统的整体效率。同时，该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温和高负载条件下保持可靠的运行。
IXGH10N100U1采用TO-247AC封装，具备良好的散热能力，适合用于需要高功率密度的设计。该封装形式也便于安装和散热器的连接，提高了器件在高功率应用中的可靠性。
IXGH10N100U1因其高压、高电流和高效率的特性，被广泛应用于多个领域。在工业自动化领域，它常用于电机驱动器、变频器和工业电源等设备中，以实现高效的能量转换和控制。在可再生能源领域，IXGH10N100U1可用于太阳能逆变器和风能转换系统中，帮助提高能量转换效率并减少系统损耗。
此外，该器件也适用于高功率电源适配器、UPS不间断电源系统以及LED照明驱动器等应用。其高耐压和良好的热管理特性，使其在高压DC-DC转换器和电源管理系统中表现出色。IXGH10N100U1还可用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路，满足现代电力电子设备对高效能和高可靠性的需求。
IXGH10N100P, IXGH10N100T, STF10N100PM, FGL10N100AND
