IXGH10N100U1是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高电压和高电流性能的功率电子系统中。该器件基于先进的高压U-MOS技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和高耐用性等特点。IXGH10N100U1的额定漏源电压(VDS)为1000V,连续漏极电流(ID)为10A,非常适合用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器和电力电子转换系统等领域。
漏源电压(VDS):1000V
漏极电流(ID):10A
栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):典型值为0.75Ω(最大值0.9Ω)
功率耗散(PD):250W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-247AC
IXGH10N100U1具有多项显著的性能特点。首先,其高耐压能力达到1000V,使其能够在高压环境下稳定运行,适用于多种高电压应用。其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为0.75Ω,这有助于降低导通损耗,提高整体系统的能效。此外,其最大漏极电流可达10A,确保在较高负载条件下仍能保持稳定运行。
这款MOSFET采用了IXYS的U-MOS技术,优化了开关性能,减少了开关损耗,从而提高了系统的整体效率。同时,该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温和高负载条件下保持可靠的运行。
IXGH10N100U1采用TO-247AC封装,具备良好的散热能力,适合用于需要高功率密度的设计。该封装形式也便于安装和散热器的连接,提高了器件在高功率应用中的可靠性。
IXGH10N100U1因其高压、高电流和高效率的特性,被广泛应用于多个领域。在工业自动化领域,它常用于电机驱动器、变频器和工业电源等设备中,以实现高效的能量转换和控制。在可再生能源领域,IXGH10N100U1可用于太阳能逆变器和风能转换系统中,帮助提高能量转换效率并减少系统损耗。
此外,该器件也适用于高功率电源适配器、UPS不间断电源系统以及LED照明驱动器等应用。其高耐压和良好的热管理特性,使其在高压DC-DC转换器和电源管理系统中表现出色。IXGH10N100U1还可用于高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路,满足现代电力电子设备对高效能和高可靠性的需求。
IXGH10N100P, IXGH10N100T, STF10N100PM, FGL10N100AND