时间：2025/4/3 15:19:55
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GRT1555C1H301FA02D是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性。其封装形式为TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换能力，同时具备出色的耐受浪涌电流的能力。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：68A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：4380pF
典型阈值电压：2.3V
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高整体效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用环境。
3. 快速开关特性，支持高频开关操作，有助于减少磁性元件体积。
4. 优秀的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
5. 内置雪崩保护功能，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计，满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或上桥臂开关管。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和其他工业控制设备中的功率级模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
6. 车载电子系统中的高效功率转换组件。
GRT1555C1H201FA02D, IRFZ44N, FDP17N10
